AOB292L

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Descripción del producto

Número de pieza:	AOB292L
Fabricante / Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 105A TO263
Especificaciones:	1.AOB292L.pdf 2.AOB292L.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	46758 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 46758 pcs

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Especificaciones de AOB292L

Número de pieza	AOB292L	Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción	MOSFET N-CH 100V 105A TO263	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	46758 pcs	Ficha de datos	1.AOB292L.pdf 2.AOB292L.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-263 (D²Pak)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	4.1 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.1W (Ta), 300W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	785-1618-2
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6775pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	126nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 14.5A (Ta), 105A (Tc) 2.1W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	14.5A (Ta), 105A (Tc)

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Después de las ventas
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