AS4C8M16D1A-5TCNTR

Alliance Memory, Inc.

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Descripción del producto

Número de pieza:	AS4C8M16D1A-5TCNTR
Fabricante / Marca:	Alliance Memory, Inc.
Descripción del producto	IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
Especificaciones:	AS4C8M16D1A-5TCNTR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	66557 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66557 pcs

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Especificaciones de AS4C8M16D1A-5TCNTR

Número de pieza	AS4C8M16D1A-5TCNTR	Fabricante	Alliance Memory, Inc.
Descripción	IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	66557 pcs	Ficha de datos	AS4C8M16D1A-5TCNTR.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	15ns	Suministro de voltaje	2.3 V ~ 2.7 V
Tecnología	SDRAM - DDR	Paquete del dispositivo	66-TSOP II
Serie	-	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)	Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)
Tipo de memoria	Volatile	Tamaño de la memoria	128Mb (8M x 16)
Interfaz de memoria	Parallel	Formato de memoria	DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Descripción detallada	SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
Frecuencia de reloj	200MHz	Tiempo de acceso	700ps

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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