ALD110900APAL

Advanced Linear Devices, Inc.

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Descripción del producto

Número de pieza:	ALD110900APAL
Fabricante / Marca:	Advanced Linear Devices, Inc.
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Especificaciones:	ALD110900APAL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	21834 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21834 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.651

50 pcs: $1.327

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Especificaciones de ALD110900APAL

Número de pieza	ALD110900APAL	Fabricante	Advanced Linear Devices, Inc.
Descripción	MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	21834 pcs	Ficha de datos	ALD110900APAL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	10mV @ 1µA	Paquete del dispositivo	8-PDIP
Serie	EPAD®, Zero Threshold™	RDS (Max) @Id, Vgs	500 Ohm @ 4V
Potencia - Max	500mW	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	8-DIP (0.300", 7.62mm)	Otros nombres	1014-1030
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2.5pF @ 5V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Matched Pair	Característica de FET	Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	10.6V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	-

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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