| Número de pieza | VN2410LZL1G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 3656 pcs | Ficha de datos | VN2410LZL1G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-92-3 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 10 Ohm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 350mW (Tc) | embalaje | Tape & Box (TB) |
| Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Otros nombres | VN2410LZL1G-ND VN2410LZL1GOSTB VN2410LZL1GOSTR VN2410LZL1GOSTR-ND |
| Temperatura de funcionamiento | - | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 125pF @ 25V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 240V | Descripción detallada | N-Channel 240V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
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|---|---|---|
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