SSU1N50BTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSU1N50BTU
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK
Especificaciones:	SSU1N50BTU.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	188215 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 188215 pcs

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5040 pcs: $0.165

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Especificaciones de SSU1N50BTU

Número de pieza	SSU1N50BTU	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	188215 pcs	Ficha de datos	SSU1N50BTU.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-251 (IPAK)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	5.3 Ohm @ 650mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 26W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	340pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	11nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	520V	Descripción detallada	N-Channel 520V 1.3A (Tc) 2.5W (Ta), 26W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.3A (Tc)

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