RFP50N05L

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RFP50N05L
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 50V 50A TO-220AB
Especificaciones:	1.RFP50N05L.pdf 2.RFP50N05L.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2792 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2792 pcs

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Especificaciones de RFP50N05L

Número de pieza	RFP50N05L	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 50V 50A TO-220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2792 pcs	Ficha de datos	1.RFP50N05L.pdf 2.RFP50N05L.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	22 mOhm @ 50A, 5V
La disipación de energía (máximo)	110W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	140nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	50V
Descripción detallada	N-Channel 50V 50A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)

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Especificaciones

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