RFG60P05E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RFG60P05E
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 50V 60A TO-247
Especificaciones:	RFG60P05E.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	3563 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3563 pcs

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Especificaciones de RFG60P05E

Número de pieza	RFG60P05E	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 50V 60A TO-247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	3563 pcs	Ficha de datos	RFG60P05E.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	30 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo)	215W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	450nC @ 20V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	50V	Descripción detallada	P-Channel 50V 60A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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