NVTR4503NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NVTR4503NT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23
Especificaciones:	NVTR4503NT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	177774 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 177774 pcs

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Especificaciones de NVTR4503NT1G

Número de pieza	NVTR4503NT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	177774 pcs	Ficha de datos	NVTR4503NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	110 mOhm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	420mW (Ta)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	NVTR4503NT1GOSDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	135pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	7nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 1.5A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.5A (Ta)

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