NVTFS4823NTWG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NVTFS4823NTWG
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
Especificaciones:	NVTFS4823NTWG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	126880 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 126880 pcs

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Especificaciones de NVTFS4823NTWG

Número de pieza	NVTFS4823NTWG	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	126880 pcs	Ficha de datos	NVTFS4823NTWG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-WDFN (3.3x3.3)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	10.5 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.1W (Ta), 21W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	NVTFS4823NTWGOSDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 12V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 13A (Ta) 3.1W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Ta)

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