NVMFS6B85NLT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NVMFS6B85NLT3G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN
Especificaciones:	NVMFS6B85NLT3G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	270263 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 270263 pcs

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Especificaciones de NVMFS6B85NLT3G

Número de pieza	NVMFS6B85NLT3G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	270263 pcs	Ficha de datos	NVMFS6B85NLT3G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	46 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.5W (Ta), 42W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN, 5 Leads	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	7.9nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 5.6A (Ta), 19A (Tc) 3.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5.6A (Ta), 19A (Tc)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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