NVMFS4C05NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NVMFS4C05NT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
Especificaciones:	NVMFS4C05NT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	313072 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 313072 pcs

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Especificaciones de NVMFS4C05NT1G

Número de pieza	NVMFS4C05NT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	313072 pcs	Ficha de datos	NVMFS4C05NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	3.4 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.61W (Ta), 79W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	NVMFS4C05NT1G-ND NVMFS4C05NT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1972pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	30nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 24.7A (Ta), 116A (Tc) 3.61W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	24.7A (Ta), 116A (Tc)

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Después de las ventas
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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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