NVMFD5877NLT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NVMFD5877NLT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
Especificaciones:	NVMFD5877NLT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	77440 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 77440 pcs

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Especificaciones de NVMFD5877NLT1G

Número de pieza	NVMFD5877NLT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	77440 pcs	Ficha de datos	NVMFD5877NLT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	39 mOhm @ 7.5A, 10V
Potencia - Max	3.2W	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	NVMFD5877NLT1GOSCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
UPS	www.UPS.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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