NVF2955PT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NVF2955PT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
Especificaciones:	NVF2955PT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5253 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5253 pcs

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Especificaciones de NVF2955PT1G

Número de pieza	NVF2955PT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5253 pcs	Ficha de datos	NVF2955PT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-223
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	185 mOhm @ 2.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-261-4, TO-261AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	492pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	14.3nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	P-Channel 60V 1.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.7A (Ta)

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