NVD5C478NLT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NVD5C478NLT4G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	T6 40V DPAK EXPANSION AND
Especificaciones:	NVD5C478NLT4G.pdf
Condición de stock	295088 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 295088 pcs

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Especificaciones de NVD5C478NLT4G

Número de pieza	NVD5C478NLT4G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	T6 40V DPAK EXPANSION AND	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	295088 pcs	Ficha de datos	NVD5C478NLT4G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.2V @ 30µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	7.7 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3W (Ta), 30W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	NVD5C478NLT4G-ND NVD5C478NLT4GOSTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo	Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V
Descripción detallada	N-Channel 40V 14A (Ta), 45A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount DPAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	14A (Ta), 45A (Tc)

Modo de transporte
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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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