NTR4502PT3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTR4502PT3
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
Especificaciones:	NTR4502PT3.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	3181 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3181 pcs

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Especificaciones de NTR4502PT3

Número de pieza	NTR4502PT3	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	3181 pcs	Ficha de datos	NTR4502PT3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	200 mOhm @ 1.95A, 10V
La disipación de energía (máximo)	400mW (Tj)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	10nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	P-Channel 30V 1.13A (Ta) 400mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.13A (Ta)

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