NTP5863NG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTP5863NG
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 97A TO-220AB
Especificaciones:	NTP5863NG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5367 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5367 pcs

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Especificaciones de NTP5863NG

Número de pieza	NTP5863NG	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 97A TO-220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5367 pcs	Ficha de datos	NTP5863NG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	7.8 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)	150W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	55nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 97A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	97A (Tc)

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