NTMFS4C09NT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTMFS4C09NT3G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL
Especificaciones:	NTMFS4C09NT3G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	428696 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 428696 pcs

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Especificaciones de NTMFS4C09NT3G

Número de pieza	NTMFS4C09NT3G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	428696 pcs	Ficha de datos	NTMFS4C09NT3G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	5.8 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)	760mW (Ta), 25.5W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1252pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	10.9nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 9A (Ta) 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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