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NTMFS4852NT1G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción del producto

Número de pieza: NTMFS4852NT1G
Fabricante / Marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto MOSFET N-CH 30V 16A SO8FL
Hojas de datos: NTMFS4852NT1G.pdf
Estado de RoHs Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 52524 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 52524 pcs
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
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Especificaciones de NTMFS4852NT1G

Número de pieza NTMFS4852NT1G Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 30V 16A SO8FL Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 52524 pcs Ficha de datos NTMFS4852NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie - RDS (Max) @Id, Vgs 2.1 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo) 900mW (Ta), 86.2W (Tc) embalaje Original-Reel®
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN, 5 Leads Otros nombres NTMFS4852NT1GOSDKR
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4970pF @ 12V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 71.3nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción detallada N-Channel 30V 16A (Ta), 155A (Tc) 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta), 155A (Tc)

Envío

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI PIDE UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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