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NTMFS4707NT3G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción del producto

Número de pieza: NTMFS4707NT3G
Fabricante / Marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL
Especificaciones: NTMFS4707NT3G.pdf
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 4456 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 4456 pcs
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Especificaciones de NTMFS4707NT3G

Número de pieza NTMFS4707NT3G Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 4456 pcs Ficha de datos NTMFS4707NT3G.pdf
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie - RDS (Max) @Id, Vgs 13 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo) 1W (Ta) embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN, 5 Leads Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 735pF @ 24V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 15nC @ 4.5V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V Descripción detallada N-Channel 30V 6.9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6.9A (Ta)

Modo de transporte

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI PIDE UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX www.FedEx.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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