NTJS3151PT2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTJS3151PT2
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
Especificaciones:	NTJS3151PT2.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	5292 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5292 pcs

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Especificaciones de NTJS3151PT2

Número de pieza	NTJS3151PT2	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	5292 pcs	Ficha de datos	NTJS3151PT2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	400mV @ 100µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	625mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	12V	Descripción detallada	P-Channel 12V 2.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.7A (Ta)

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