| Número de pieza | NTJD4105CT1G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 758271 pcs | Ficha de datos | NTJD4105CT1G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA | Paquete del dispositivo | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 375 mOhm @ 630mA, 4.5V |
| Potencia - Max | 270mW | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Otros nombres | NTJD4105CT1GOS NTJD4105CT1GOS-ND NTJD4105CT1GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 20V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N and P-Channel | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V, 8V | Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 630mA, 775mA | Número de pieza base | NTJD4105C |
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|---|---|---|
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