| Número de pieza | NTHS2101PT1G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 2868 pcs | Ficha de datos | NTHS2101PT1G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | ChipFET™ |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.3W (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead | Otros nombres | NTHS2101PT1GOS NTHS2101PT1GOS-ND NTHS2101PT1GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento | - | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 6.4V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 8V |
| Descripción detallada | P-Channel 8V 5.4A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™ | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.4A (Tj) |
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|---|---|---|
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