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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | NTHC5513T1G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N/P-CH 20V 1206A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 442748 pcs | Ficha de datos | NTHC5513T1G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.2V @ 250µA | Paquete del dispositivo | ChipFET™ |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Potencia - Max | 1.1W | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead | Otros nombres | NTHC5513T1GOS NTHC5513T1GOS-ND NTHC5513T1GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N and P-Channel | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™ |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A, 2.2A | Número de pieza base | NTHC5513 |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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