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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | NTF3055-100T1G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 364215 pcs | Ficha de datos | NTF3055-100T1G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | SOT-223 (TO-261) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 110 mOhm @ 1.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.3W (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-261-4, TO-261AA | Otros nombres | NTF3055-100T1GOS NTF3055-100T1GOS-ND NTF3055-100T1GOSTR NTF3055100T1G |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 455pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | N-Channel 60V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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