NTD95N02RT4

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTD95N02RT4
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
Especificaciones:	NTD95N02RT4.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	3060 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3060 pcs

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Especificaciones de NTD95N02RT4

Número de pieza	NTD95N02RT4	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 24V 12A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	3060 pcs	Ficha de datos	NTD95N02RT4.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	5 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.25W (Ta), 86W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	21nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	24V	Descripción detallada	N-Channel 24V 12A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 86W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 32A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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