NTD78N03

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTD78N03
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK
Especificaciones:	NTD78N03.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	6163 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6163 pcs

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Especificaciones de NTD78N03

Número de pieza	NTD78N03	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	6163 pcs	Ficha de datos	NTD78N03.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	6 mOhm @ 78A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.4W (Ta), 64W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2250pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	35nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	25V	Descripción detallada	N-Channel 25V 11.4A (Ta), 78A (Tc) 1.4W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11.4A (Ta), 78A (Tc)

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Especificaciones

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