NTD4970N-35G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTD4970N-35G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 38A IPAK
Especificaciones:	NTD4970N-35G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	78541 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 78541 pcs

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Especificaciones de NTD4970N-35G

Número de pieza	NTD4970N-35G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 38A IPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	78541 pcs	Ficha de datos	NTD4970N-35G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I-PAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	11 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.38W (Ta), 24.6W (Tc)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Stub Leads, IPak	Otros nombres	NTD4970N-35G-ND NTD4970N-35GOS
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	774pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	8.2nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 8.5A (Ta), 36A (Tc) 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) Through Hole I-PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8.5A (Ta), 36A (Tc)

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Especificaciones

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