NTD4858NAT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTD4858NAT4G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK
Especificaciones:	NTD4858NAT4G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3308 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3308 pcs

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Especificaciones de NTD4858NAT4G

Número de pieza	NTD4858NAT4G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3308 pcs	Ficha de datos	NTD4858NAT4G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	DPAK	Serie	-
RDS (Max) @Id, Vgs	6.2 mOhm @ 30A, 10V	La disipación de energía (máximo)	1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1563pF @ 12V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	19.2nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	25V	Descripción detallada	N-Channel 25V 11.2A (Ta), 73A (Tc) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11.2A (Ta), 73A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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