NTD32N06G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTD32N06G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Especificaciones:	NTD32N06G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6397 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6397 pcs

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Especificaciones de NTD32N06G

Número de pieza	NTD32N06G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 32A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6397 pcs	Ficha de datos	NTD32N06G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	26 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.5W (Ta), 93.75W (Tj)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1725pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	60nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 32A (Ta) 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	32A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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