NTD23N03R

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTD23N03R
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
Especificaciones:	NTD23N03R.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	3009 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3009 pcs

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Especificaciones de NTD23N03R

Número de pieza	NTD23N03R	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	3009 pcs	Ficha de datos	NTD23N03R.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	45 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.14W (Ta), 22.3W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	225pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3.76nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	25V	Descripción detallada	N-Channel 25V 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.8A (Ta), 17.1A (Tc)

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Especificaciones

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