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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | NTD110N02RT4G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 195624 pcs | Ficha de datos | NTD110N02RT4G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | DPAK |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.5W (Ta), 110W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Otros nombres | NTD110N02RT4GOS NTD110N02RT4GOS-ND NTD110N02RT4GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3440pF @ 20V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 24V |
| Descripción detallada | N-Channel 24V 12.5A (Ta), 110A (Tc) 1.5W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount DPAK | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Ta), 110A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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