NTB90N02

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTB90N02
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Especificaciones:	NTB90N02.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	5873 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5873 pcs

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Especificaciones de NTB90N02

Número de pieza	NTB90N02	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	5873 pcs	Ficha de datos	NTB90N02.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D2PAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	5.8 mOhm @ 90A, 10V
La disipación de energía (máximo)	85W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2120pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	29nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	24V	Descripción detallada	N-Channel 24V 90A (Ta) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	90A (Ta)

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Especificaciones

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