NTB30N06LT4

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTB30N06LT4
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Especificaciones:	NTB30N06LT4.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	2712 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2712 pcs

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Especificaciones de NTB30N06LT4

Número de pieza	NTB30N06LT4	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	2712 pcs	Ficha de datos	NTB30N06LT4.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±15V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D2PAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	46 mOhm @ 15A, 5V
La disipación de energía (máximo)	88.2W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	NTB30N06LT4OS
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1150pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	32nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 30A (Ta) 88.2W (Tc) Surface Mount D2PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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