NTB13N10

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTB13N10
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
Especificaciones:	NTB13N10.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	3256 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3256 pcs

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Especificaciones de NTB13N10

Número de pieza	NTB13N10	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	3256 pcs	Ficha de datos	NTB13N10.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D2PAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	165 mOhm @ 6.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	64.7W (Ta)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 13A (Ta) 64.7W (Ta) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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