NSS35200CF8T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NSS35200CF8T1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS PNP 35V 2A 8CHIPFET
Especificaciones:	NSS35200CF8T1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	440989 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 440989 pcs

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Especificaciones de NSS35200CF8T1G

Número de pieza	NSS35200CF8T1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRANS PNP 35V 2A 8CHIPFET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	440989 pcs	Ficha de datos	NSS35200CF8T1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	35V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 20mA, 2A
Tipo de transistor	PNP	Paquete del dispositivo	ChipFET™
Serie	-	Potencia - Max	635mW
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	8-SMD, Flat Lead
Otros nombres	NSS35200CF8T1G-ND NSS35200CF8T1GOSTR	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	100MHz
Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 635mW Surface Mount ChipFET™	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1.5A, 2V
Corriente - corte del colector (Max)	100nA	Corriente - colector (Ic) (Max)	2A
Número de pieza base	NSS35200

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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