NJX1675PDR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NJX1675PDR2G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
Especificaciones:	NJX1675PDR2G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3809 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3809 pcs

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Especificaciones de NJX1675PDR2G

Número de pieza	NJX1675PDR2G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3809 pcs	Ficha de datos	NJX1675PDR2G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	30V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
Tipo de transistor	NPN, PNP	Paquete del dispositivo	8-SOIC
Serie	-	Potencia - Max	2W
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición	100MHz, 120MHz	Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 3A 100MHz, 120MHz 2W Surface Mount 8-SOIC
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	180 @ 1A, 2V	Corriente - corte del colector (Max)	100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)	3A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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