NHPM120T3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NHPM120T3G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Especificaciones:	NHPM120T3G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	240366 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 240366 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.133

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Especificaciones de NHPM120T3G

Número de pieza	NHPM120T3G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	240366 pcs	Ficha de datos	NHPM120T3G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1V @ 1A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	200V
Paquete del dispositivo	Powermite	Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	25ns
embalaje	Cut Tape (CT)	Paquete / Cubierta	DO-216AA
Otros nombres	NHPM120T3GOSCT	Temperatura de funcionamiento - Junction	-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 200V 1A Surface Mount Powermite	Corriente - Fuga inversa a Vr	500nA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io)	1A	Capacitancia Vr, F	-

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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