NDS351N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NDS351N
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3
Especificaciones:	1.NDS351N.pdf 2.NDS351N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	139673 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 139673 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de NDS351N

Número de pieza	NDS351N	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	139673 pcs	Ficha de datos	1.NDS351N.pdf 2.NDS351N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SuperSOT-3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	160 mOhm @ 1.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)	500mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	NDS351NCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3.5nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.1A (Ta)

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Después de las ventas
Especificaciones

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