NDC631N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NDC631N
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6
Especificaciones:	NDC631N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3059 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3059 pcs

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Especificaciones de NDC631N

Número de pieza	NDC631N	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3059 pcs	Ficha de datos	NDC631N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SuperSOT™-6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	60 mOhm @ 4.1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1.6W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	365pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	14nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	N-Channel 20V 4.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4.1A (Ta)

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