MTY100N10E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MTY100N10E
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
Especificaciones:	MTY100N10E.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	4182 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4182 pcs

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Especificaciones de MTY100N10E

Número de pieza	MTY100N10E	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 100A TO-264	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	4182 pcs	Ficha de datos	MTY100N10E.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-264
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	11 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)	300W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-264-3, TO-264AA	Otros nombres	MTY100N10EOS
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10640pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	378nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-264	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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