MTD5P06VT4GV

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MTD5P06VT4GV
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
Especificaciones:	MTD5P06VT4GV.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6386 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6386 pcs

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Especificaciones de MTD5P06VT4GV

Número de pieza	MTD5P06VT4GV	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 60V 5A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6386 pcs	Ficha de datos	MTD5P06VT4GV.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±15V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	450 mOhm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.1W (Ta), 40W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	510pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	P-Channel 60V 5A (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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