MTD3055VL

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MTD3055VL
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Especificaciones:	MTD3055VL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	55629 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 55629 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.562

10 pcs: $0.498

100 pcs: $0.394

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Especificaciones de MTD3055VL

Número de pieza	MTD3055VL	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	55629 pcs	Ficha de datos	MTD3055VL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-252-3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	180 mOhm @ 6A, 5V
La disipación de energía (máximo)	3.9W (Ta), 48W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	MTD3055VLDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	570pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	10nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 12A (Tc) 3.9W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount TO-252-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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