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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | MMDF2C03HDR2G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 160227 pcs | Ficha de datos | MMDF2C03HDR2G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Paquete del dispositivo | 8-SOIC |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 70 mOhm @ 3A, 10V |
| Potencia - Max | 2W | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Otros nombres | MMDF2C03HDR2GOS MMDF2C03HDR2GOS-ND MMDF2C03HDR2GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 24V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Tipo FET | N and P-Channel | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A, 3A | Número de pieza base | MMDF2C03HD |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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