MJD31CT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MJD31CT4G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS NPN 100V 3A DPAK
Especificaciones:	MJD31CT4G.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	526977 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 526977 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.068

5000 pcs: $0.064

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Especificaciones de MJD31CT4G

Número de pieza	MJD31CT4G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRANS NPN 100V 3A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	526977 pcs	Ficha de datos	MJD31CT4G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	100V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	1.2V @ 375mA, 3A
Tipo de transistor	NPN	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	-	Potencia - Max	1.56W
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres	MJD31CT4GOS MJD31CT4GOS-ND MJD31CT4GOSTR	Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	3MHz
Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 3A, 4V
Corriente - corte del colector (Max)	50µA	Corriente - colector (Ic) (Max)	3A
Número de pieza base	MJD31

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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