| Número de pieza | MJD3055T4G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS NPN 60V 10A DPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 362252 pcs | Ficha de datos | MJD3055T4G.pdf |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 60V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
| Tipo de transistor | NPN | Paquete del dispositivo | DPAK |
| Serie | - | Potencia - Max | 1.75W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres | MJD3055T4GOS MJD3055T4GOS-ND MJD3055T4GOSTR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frecuencia - Transición | 2MHz |
| Descripción detallada | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 2MHz 1.75W Surface Mount DPAK | DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
| Corriente - corte del colector (Max) | 50µA | Corriente - colector (Ic) (Max) | 10A |
| Número de pieza base | MJD3055 |
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|---|---|---|
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