MJD253-1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MJD253-1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS PNP 100V 4A IPAK
Especificaciones:	MJD253-1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	141059 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 141059 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de MJD253-1G

Número de pieza	MJD253-1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRANS PNP 100V 4A IPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	141059 pcs	Ficha de datos	MJD253-1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	100V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 100mA, 1A
Tipo de transistor	PNP	Paquete del dispositivo	I-PAK
Serie	-	Potencia - Max	1.4W
embalaje	Tube	Paquete / Cubierta	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres	MJD253-1G-ND MJD253-1GOS MJD2531G	Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	40MHz
Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 40MHz 1.4W Through Hole I-PAK	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 200mA, 1V
Corriente - corte del colector (Max)	100nA (ICBO)	Corriente - colector (Ic) (Max)	4A
Número de pieza base	MJD253

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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