| Número de pieza | MJD200T4G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS NPN 25V 5A DPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 469058 pcs | Ficha de datos | MJD200T4G.pdf |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 25V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
| Tipo de transistor | NPN | Paquete del dispositivo | DPAK |
| Serie | - | Potencia - Max | 1.4W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres | MJD200T4GOS MJD200T4GOS-ND MJD200T4GOSTR |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frecuencia - Transición | 65MHz |
| Descripción detallada | Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 5A 65MHz 1.4W Surface Mount DPAK | DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
| Corriente - corte del colector (Max) | 100nA (ICBO) | Corriente - colector (Ic) (Max) | 5A |
| Número de pieza base | MJD200 |
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|---|---|---|
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