MJD112G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MJD112G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Especificaciones:	MJD112G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	155899 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 155899 pcs

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Especificaciones de MJD112G

Número de pieza	MJD112G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	155899 pcs	Ficha de datos	MJD112G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	100V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	3V @ 40mA, 4A
Tipo de transistor	NPN - Darlington	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	-	Potencia - Max	1.75W
embalaje	Tube	Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres	MJD112G-ND MJD112GOS	Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	25MHz
Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 2A, 3V
Corriente - corte del colector (Max)	20µA	Corriente - colector (Ic) (Max)	2A
Número de pieza base	MJD112

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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