MGSF1P02LT1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MGSF1P02LT1
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23
Especificaciones:	MGSF1P02LT1.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	5921 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5921 pcs

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Especificaciones de MGSF1P02LT1

Número de pieza	MGSF1P02LT1	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	5921 pcs	Ficha de datos	MGSF1P02LT1.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	350 mOhm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	400mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	MGSF1P02LT1OSTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	130pF @ 5V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	P-Channel 20V 750mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	750mA (Ta)

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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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