MBRD835L

ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MBRD835L
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
Especificaciones:	MBRD835L.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	3036 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3036 pcs

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Especificaciones de MBRD835L

Número de pieza	MBRD835L	Fabricante	ON Semiconductor
Descripción	DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	3036 pcs	Ficha de datos	MBRD835L.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Schottky	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	8A
Tensión - Desglose	DPAK-3	Serie	SWITCHMODE™
Estado RoHS	Tube	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres	MBRD835LOS	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	MBRD835L
Descripción ampliada	Diode Schottky 35V 8A Surface Mount DPAK-3	configuración de diodo	1.4mA @ 35V
Descripción	DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK	Corriente - Fuga inversa a Vr	510mV @ 8A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	35V	Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 150°C

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